项目概况
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”
，应用于直流
电压为600V-6500V的变流系统。可调整电源频率，控制电机、压缩机等设备进行
无级变速。是电机电控，轨道交通、智能电网、航空航天、风电光伏，电动车，
储能等新能源装备领域必不可少的设备。
传统的Si-IGBT芯片已经发展到7代，受Si(硅)的材料限制，已经遇到瓶颈。而基于
SiC(碳化硅)生产的IGBT芯片，将为高压电网及电动车充电桩市场带来巨大变革。
人们通常把Si和Ge元素半导体称为第一代电子材料，把GaAs、InP、InAs等化合
物半导体称为第二代半导体材料，而把Ⅲ族氮化物SiC、InSe、GaN 宽带隙的化合
物半导体称为第三代半导体材料。第四代半导体材料包括氧化镓，金刚石，AIN。
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